Kretsdesign er en nøkkelfaktor i den overlegne ytelsen til sensoren. Siden utgangen fra sensoren er et veldig lite signal, hvis det nyttige signalet blir overveldet av støy, vil det ikke være verdt tapet, så det er spesielt viktig å styrke anti-fastkjøringsdesignet til sensorkretsen. Før det må vi forstå kilden til sensorkretsstøy for å finne en bedre måte å redusere støy på. Generelt er det syv hovedtyper sensorkretsstøy.
2. Skuddstøy generert av halvlederenheter
Mengden ladning akkumulert i dette området endres på grunn av endringen i spenningen til barriereområdet over halvleder PN-krysset, og utviser derved en kapasitiv effekt. Når den påførte forspenningen stiger, beveger elektronene seg i N-området og hullene i P-regionen mot uttømningsområdet, noe som tilsvarer lading av kondensatoren. Når forspenningen reduseres, får den igjen elektroner og hull til å bevege seg bort fra utarmingsområdet, noe som tilsvarer en kondensatorutladning. Når en revers spenning påføres, blir endringen i uttømningsregionen reversert. Når en strøm strømmer gjennom barriereområdet, forårsaker denne endringen en liten svingning i strømmen som strømmer gjennom barriereområdet, og genererer derved strømstøy. Størrelsen på den genererte støyen er proporsjonal med temperaturen og båndbredden Δf.
